Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения. OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) является развитием технологий резистивной памяти. Размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА. Кроме того, как сообщает Ixbt, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.