Компания Samsung Electronics, уже достигшая и преодолевшая не один барьер плотности чипов флэш-памяти, для чего одной из первых начала использовать технологии многочиповых микросхем (MCP, multi-chip package), сообщает о дальнейшем развитии этого подхода – технологии трехмерной (3D) упаковки чипов, построенной на базе патентованного процесса обработки пластин WSP (wafer-level stack process).

Технология WSP позволяет создавать гибридные микросхемы (например, оперативная память + флэш-память) для использования в портативных ПК или мобильных устройствах. Ну и, конечно же, WSP можно применить для создания микросхем флэш-памяти высокой плотности – в частности, 16-Гбит, в одной корпусе которой находится восемь 2-Гбит чипов. Толщина каждого 2-Гбит чипа NAND флэш-памяти составляет 50 мкм, а толщина WSP-микросхемы – 0,56 мм. По словам Samsung, технология WSP позволяет создавать значительно более компактные микросхемы, чем текущее поколение технологии MCP.

В начале следующего года Samsung планирует использовать WSP в микросхемах NAND флэш-памяти для бытовой электроники и, в том числе, для мобильных телефонов. В дальнейшем компания собирается использовать WSP для создания SiP-решений (system-in-package) и микросхем DRAM высокой плотности.

Главное отличие технологии WSP от MCP в том, что если в последнем случае для соединения чипов используются проводники, проходящие через вертикальные зазоры в несколько микрон и горизонтальные зазоры в несколько сотен микрон; то в WSP в каждом чипе имеются отверстия в несколько микрон, сквозь которые проходят проводники, соединяющие чипы друг с другом и в результате чего нет необходимости оставлять зазоры по бокам чипов. По данным Samsung, с помощью WSP удается создавать ИС, площадь которых меньше MCP-микросхем на 15%, а толщина – на 30%. Отверстия в чипах создаются не методом травления, а с использованием сфокусированного лазерного излучения. По материалам  EE Times .

Инф. iXBT