Группа исследователей под руководством Макса Лемме (Max Lemme) из немецкого Gesellschaft fur Angewandte Mikro- und Optoelektronik mbH (AMO) создала полевые транзисторы, в которых используется так называемый монослой углерода (слой толщиной в один атом). От обычных канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), в которых используется кремний и структура «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI), новые приборы, по словам ученых, отличает «значительно улучшенная подвижность электронов и дырок».

AMO пока не раскрывает количественные показатели «углеродного транзистора», но обещает, что первые результаты экспериментов будут опубликованы в апрельском сборнике IEEE Electron Device Letters, в статье под заголовком «A graphene field effect device».

Создание «углеродного транзистора» - результат работ по программе Alegra, финансируемой немецким правительством. Если удастся интегрировать созданную разработку в кремниевую технологию, потенциал которой, как принято считать, подходит к исчерпанию, отрасль может претерпеть революционные изменения, утверждают в AMO.

Примечательно, что для изготовления экспериментального прибора был задействован техпроцесс, совместимый с CMOS.

iXBT