Исследователи из корпорации Intel и британской компании Qinetiq разработали новый тип транзисторов, которые, как отмечается в пресс-релизе, обладают втрое более высокой по сравнению с современными кремниевыми транзисторами производительностью при одинаковом энергопотреблении. Транзисторы в микросхемах работают в качестве переключателей, и чем быстрее происходит их закрытие и открытие, тем выше быстродействие чипа. При создании новых транзисторов ученые использовали антимонид индия. Этот материал обладает более высокой по сравнению с кремнием активностью и имеет большее количество носителей заряда. Соответственно, и скорость переключения транзисторов из антимонида индия значительно выше. Однако существует и одно весьма серьезное ограничение: для работы новых элементов требуется очень низкая температура - около минус 196° Цельсия. Решить проблему исследователям Intel и Qinetiq удалось за счет создания так называемой "квантовой ямы". Чистый антимонид индия был заключен между двумя слоями этого же материала с примесью алюминия. Транзисторы, изготовленные по новой технологии, способны работать при низких напряжениях, а энергопотребление таких элементов на порядок ниже энергопотребления кремниевых транзисторов при сравнимой производительности. Теоретически предложенная методика позволит изготавливать сверхбыстродействующие процессоры с очень низким потреблением энергии, сообщает New Scientist. Альтернативу традиционным кремниевым микросхемам ищут и многие другие компании. Например, Hewlett-Packard недавно предложила использовать вместо транзисторов специальные "защелки", состоящие из трех нанопроводников и двух молекулярных переключателей. Подробнее о технологии Hewlett-Packard можно прочитать на этой странице. Инф. computerra