Корпорация IBM объявила, что ей удалось разработать метод трехкратного повышения производительности стандартных транзисторов интегральных схем с помощью технологического процесса, совместимого с традиционной КМОП-технологией. Это достижение является важным шагом на пути к дальнейшему повышению производительности интегральных схем и электронных систем на его основе. Новый метод предусматривает создание слоя из германия на важнейшем участке транзистора, через который протекает электрический ток, - т.н. канале. Давно известно, что германий обладает более высокой проводимостью, чем кремний, а механические напряжения, созданные в слое германия с помощью разработанного IBM специального технологического процесса, обеспечивают дальнейшее повышение производительности. При этом разработанная технология выборочного введения напряженного германия в действительности дает и ряд дополнительных выгод с точки зрения характеристик транзисторов. Например, в микроэлектронной индустрии идет активный поиск решений, которые позволили бы заменить традиционный оксид кремния в затворах транзисторов диэлектриками с высокой диэлектрической проницаемостью. Однако опыт показывает, что введение новых диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в существующие полупроводниковые технологии представляет собой чрезвычайно сложную проблему. Применение напряженного германия с его улучшенными электрическими характеристиками в действительности облегчает введение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью. Инф. Rlocman