Компании AMD и IBM сообщили о планах совместного внедрения новых методик в технологический процесс производства процессоров. К середине 2005 года, по словам представителей обеих компаний, в их процессорах будут применяться как технология Silicon-On-Insulator (кремний на изоляторе), так и напряженный кремний (Strained Silicon), что поможет улучшить характеристики транзисторов. Эти технологии позволяют в нужных местах "растянуть" или уплотнить кристаллическую решетку кремния для улучшения p-n-переходов. По словам IBM, применяя обе технологии, можно добиться увеличения скорости транзистора на 25% по сравнению с обычным транзистором при одинаковом напряжении. Внедрение поддержки этих технологий на уже существующих производственных линиях не будет сложным, заверили представители компаний. IBM будет использовать их в новых моделях процессоров семейства Power, которые начнут производиться в первой половине 2005 года. По данным THG, AMD продемонстрирует процессоры с SOI и SS в следующем году. Это будут Opteron и Athlon 64, производящиеся по 90-нм техпроцессу. Также компании подтвердили, что контракт на совместную разработку технологий производства продлен до внедрения 45-нм технологии.