Милтон Фенг (Milton Feng) и Валид Хейфз (Walid Hafez) из университета Иллинойса (University of Illinois at Urbana-Champaign) создали самый быстрый в мире транзистор, способный работать на тактовой частоте 604 гигагерца. Размеры нового транзистора — существенно меньше полмикрона, что, в общем-то, сопоставимо с размерами деталей, применяемых в современных микросхемах. Новинка относится к так называемому типу биполярных транзисторов. Для создания его трёх слоёв (базы, эмиттера и коллектора) авторы проекта использовали смесь двух различных полупроводников — фосфид индия и арсенид галлия-индия. Тщательно подбирая состав и пропорции, исследователи добились того, что электроны в коллекторе могут двигаться быстрее и пробегать большее расстояние, прежде, чем они тормозятся в столкновениях с атомами. Хотя в компьютерах, отмечают учёные, используется, в основном, другой тип транзисторов — полевой, разработать такой транзистор на базе найденных материалов — возможно, хотя и будет нелегко. Однако созданные транзисторы (а ранее те же авторы выходили в свет с экспериментальными образцами на 282-509 гигагерц) далеки от того, чтобы из них уже можно было составлять микросхемы с тысячами деталей. Пока речь идёт только об экспериментах. И всё же данная работа — это шаг к появлению высокоскоростных компьютеров. Инф. Membrana