Ферроэлектрическая ОЗУ (FRAM) должна стать в ближайшем будущем самой популярной памятью в цифровых устройствах. FRAM будет отличаться не только быстродействием на уровне DDR, но и возможностью сохранять данные при отключении энергии. Словом, FRAM может вытеснить не только медленную NAND, но и обычную ОЗУ типа DDR.

Сегодня ферроэлектрическая память находит ограниченное применение, к примеру, в RFID-тэгах. Ведущие компании, в числе которых Toshiba, курируют развитие FRAM. Примерно к 2015 году на рынок должны поступить n-гигабайтные модули FRAM.

Одна из основых проблем электронных схем - спонтанные и обратимые дипольные моменты между близкими друг к другу проводами. Данный эффект крайне нежелателен особенно в устройствах памяти. Перед учёными стоит задача стабилизировать ферроэлектрические схемы на самом малом доступном для человечества уровне - нано уровне. Группа под руководством профессора Джонатана Спаньера (Jonathan Spanier) из университета Дрексела предложила новый и довольно необычный способ изоляции проводов толщиной в несколько атомов.

Как установили физики, гидроксильная группа (OH), которая входит в состав молекулы воды (H2O), способна предотвращать появление нежелательных дипольных моментов между проводами. Основная проблема миниатюризации ферроэлектрических схем - это необходимость надёжной изоляции проводов. Теперь, благодаря изобретению, возможно создание крошечных ферроэлектрических устройств памяти. Ёмкость такого накопителя может составить 12,8 млн. Гб на квадратный сантиметр!

До коммерческого применения инновации ещё долго - учёные должны разработать технологии, которые позволят близко располагать тонкие провода и работать с данными (считывание, запись). Отметим, что кроме воды, теоретически можно применять и карбоновые кислоты, в состав которых также входит OH-группа. Впрочем, тут же забывать об изобретении не стоит - руководитель группы настроен более чем серьёзно, так что в ближайшие годы мы ещё не раз услышим о "водной" FRAM.

Алексей Талан, 3DNews