Совместная работа ученых трех университетов (University of Pennsylvania, Drexel University и Harvard University) позволяет надеяться на разработку в скором времени элементов памяти, которая будет характеризоваться очень высокой плотностью хранения данных.

Команда трех вышеуказанных университетов предложила новый, удивительно эффективный метод стабилизации и контроля сегнетоэлектричества в наноструктурах.

Ферроэлектрики являются важным технологическим "умным" материалом и используются для многих приложений, поскольку имеют диполи, которые могут "включаться" и "выключаться", что позволяет сделать из них базовую единицу памяти - 0 или 1.

Джонатана Спаниер (Jonathan Spanier), сотрудник Университета в Дрекселе так прокомментировал изобретение: «Изумительно наблюдать за тем, как один проводник или даже несколько его атомов могут функционировать как стабильный и управляемый дипольный элемент памяти». Профессор Спаниер с коллегами успешно продемонстрировали преимущества стабилизации битов памяти водой в сегменте оксида нанапроводника, который имеет длину лишь 3 миллиардных метра.

«Нам было крайне интересно, как вода будет реагировать с оксидом, в частности, мы приятно удивлены тем, что именно вода явилась тем ключевым ингредиентом для того, чтобы "проводок" смог обладать памятью», - сообщил один из участников проекта.

Что же касается конечной выгоды - получения элементов ЗУ с очень большой плотностью, то очень точных данных пока нет (отношения длины проводника к Мб (Гб)), но предполагается, что с помощью данного подхода удастся получать элементы памяти, которые будут иметь плотность порядка 100 000 Тбит/см³. Если такой плотности памяти удастся достичь в коммерчески выпускаемых продуктах...то популярный МР3-плеер iPod nano можно будет снабдить таким количеством памяти, что музыку на нем можно будет слушать 300 тыс. лет! Конечно же, следующая итерация плеера будет иметь увеличенный объем памяти под МР3, но о таких объемах производители пока и не смеют мечтать. По материалам  Physorg.

Инф. iXBT