Исследовательский центр IMEC, об успехах которого на ниве создания термофотоэлектрических элементов мы недавно сообщали, в сотрудничестве с учеными университета бельгийского города Гент (напомним, в Бельгии расположена и штаб-квартира IMEC), разработал новый технологический процесс для создания тонких, гибких микросхем – толщина готового изделия не превышает 50 мкм.

В демонстрационных образцах слой кремния имел толщину 20-30 мкм, еще примерно столько же приходилось на слои полиимида (polyimide) и металла. При этом структура сохраняла гибкость.

Более детально новинка выглядит следующим образом: базовый субстрат – 20-мкм слой полиимида, нанесенный на стеклянный носитель; на нем – слой бициклобутана (bicyclobutane) толщиной менее 5 мкм, обеспечивающий повышение адгезии; сверху «приклеивается» слой кремния. При температуре 350°C бициклобутан фиксирует чип на поверхности полиимида. После этого, сверху наносится еще один слой полиимида толщиной 20 мкм, в котором лазером «прожигаются» отверстия диаметром 20 мкм для контактных площадок. Завершает конструкцию слой металла толщиной 1 мкм. Используемый материал - TiW/Cu. Он наносится напылением. Нужная конфигурация, формирующая контактные площадки и отверстия для вентиляции, достигается при помощи литографии. На последнем этапе производства готовый «бутерброд» снимается с жесткого носителя.

Успех ученых открывает перед встраиваемой электроникой широкий круг областей применения, включая одежду, упаковочные материалы, «умные» ткани и гибкие дисплеи.

Инф. iXBT