• Главная
  • ЛЕНТА НОВОСТЕЙ
  • АРХИВ
  • RSS feed
  • Samsung будет оснащать свои смартфоны памятью нового поколения
    Опубликовано: 2010-05-06 12:10:11

    Корейская компания будет использовать в своих мобильных аппаратах модули PRAM — память с произвольным доступом на основе фазового перехода. Это повысит быстродействие аппаратов и увеличит время работы от батареи.

    Samsung объявила о намерениии в ближайшее время полностью отказаться от использования в своих новых смартфонах флэш-памяти и перейти на более технологичные и быстрые модули типа PRAM (Phase-change Random Access Memory — «память с произвольным доступом на основе фазового перехода»).

    В основе кристалла памяти PRAM лежит сплав германия с сурьмой и титаном. Внешне такой материал похож на кусок стекла и обладает способностью менять физические свойства в зависимости от своего фазового состояния — аморфного или кристаллического.

    По убеждению самой Samsung, использование в аппаратах модулей памяти PRAM позволит увеличить продолжительность автономной работы телефона на 20%, а так же ощутимо повысит его быстродействие. Новая память умеет считывать и записывать данные до 10 раз быстрей, чем некоторые типы флэш-памяти.

    Модули фазовой памяти будут совместимы с модулями флэш-памяти на всех уровнях. Начать производство устройств на базе PRAM корейская компания планирует в 2010-2011 годах. Первый PRAM-чип будет иметь емкость 512 Мбит.

    Источник: BBC

    Инф. delo.ua



    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с ELCOMART.COM активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Торгово-промышленные новости ELCOMART.COM" обязательна.



    info@elcomart.com
    При использовании материалов сайта в электронном виде активная ссылка на elcomart.com обязательна.