Компании IBM и TDK разрабатывают новый тип компьютерной памяти STT-RAM, что означает Spin Torque Transfer Random Access Memory, сообщает сайт cybersecurity.ru.

Основное отличие оперативной памяти STT-RAM заключается в принципе работы: в чипах нового типа электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля, что вызывает изменение в сопротивлении. Именно эти перемены в сопротивлении  являются логическими нулями и единицами.

В настоящий момент технология находится в процессе создания рабочего прототипа 65нм чипа памяти, а  его рабочая версия будет создана примерно через три-четыре года, утверждают разработчики.

Специалисты компаний Freescale и IBM уже представили схожие микрочипы, работающие по аналогии с компьютерными жесткими дисками. Чипы, получившие название магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM), работают не как привычные микросхемы оперативной памяти. Если стандартные микросхемы формата DRAM используют электрических заряд для хранения информации, то MRAM чипы  применяют магнитный заряд.

Одно из главных преимуществ новинки состоит в том, что микросхема хранить информацию даже в том случае, когда устройство выключено, а на чип не подается электрический заряд.