Samsung представляет новые технологии

Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения. OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) является развитием технологий резистивной памяти. Размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА. Кроме того, как сообщает Ixbt, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.